技術(shù)編號：7047721
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種4H-SiC金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。主要解決現(xiàn)有技術(shù)漏極輸出電流不穩(wěn)定、擊穿電壓小的問題。其結(jié)構(gòu)自下而上包括4H-SiC半絕緣襯底(1)、P型緩沖層(2)、N型溝道層(3)，N型溝道層(3)表面有源極帽層(5)和漏極帽層(6)，源極帽層(5)和漏極帽層(6)表面分別是源電極(10)和漏電極(11)，N型溝道層(3)上方且靠近源極帽層(5)的一側(cè)形成柵電極(4)，柵電極(4)與源極帽層(5)之間形成凹陷柵源漂移區(qū)(9)，柵電極(4)與漏極帽層...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。