技術(shù)編號：7045706
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供，包括1）根據(jù)太赫茲量子阱光電探測器的峰值響應(yīng)頻率在器件材料中的波長λp，設(shè)計(jì)刻蝕光柵的周期P，使P＝λp；2）計(jì)算在入射光照射下太赫茲量子阱光電探測器內(nèi)部的電磁場分布；3）提取電磁場分布中對子帶間躍遷有貢獻(xiàn)的分量，并在有源區(qū)內(nèi)對該分量的能量進(jìn)行積分，得到有源區(qū)中對子帶間躍遷有貢獻(xiàn)的總能量It；4）設(shè)置不同的光柵高度h，計(jì)算在不同光柵高度h下的總能量It，選取總能量It最大時(shí)的光柵高度h作為刻蝕光柵的高度。本發(fā)明可有效提升太赫茲量子阱光電探測器在...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。