技術(shù)編號(hào)：7045001
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，包括如下步驟(1)制作貫穿孔電極，形成至少1列N型金屬接觸列；N型金屬接觸直徑為0.5~1毫米；(2)在半導(dǎo)體基板的背面的P型摻雜區(qū)或P+摻雜區(qū)設(shè)置金屬層；(3)在背面的金屬層上相對于N型金屬接觸列的位置設(shè)置條狀的絕緣介質(zhì)層，(4)在各個(gè)絕緣介質(zhì)層上均設(shè)置第二金屬層，第二金屬層與其下方的N型金屬接觸電連接；形成焊接電極。本發(fā)明開發(fā)了一種背接觸太陽電池金屬化的制備方法，引入了絕緣介質(zhì)層和第二金屬層，實(shí)現(xiàn)了效率最大化，在減少金屬和半導(dǎo)體接觸漏電的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。