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技術(shù)編號(hào)：7043832

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本發(fā)明提供一種提高Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體LED芯片抗靜電能力的外延生長(zhǎng)方法,其LED外延結(jié)構(gòu)包括GaN非摻雜層、N型摻雜GaN層、n型AlGaN/GaN復(fù)合插入層、高溫P型GaN層、P型接觸層，其n型AlGaN/GaN復(fù)合插入層，具體包括以下步驟生長(zhǎng)一層Al組分逐漸升高n型摻雜AlGaN層；生長(zhǎng)Al組分不變的n型摻雜AlGaN層；生長(zhǎng)一層Al組分逐漸降低的n型摻雜AlGaN層，溫度生高至1000-1200℃后生長(zhǎng)GaN層，本發(fā)明通過(guò)在N型GaN層與淺阱層之間...
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