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氮化物半導(dǎo)體器件、氮化物半導(dǎo)體晶片以及用于制造氮化物半導(dǎo)體層的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7043737

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這里描述的實(shí)施例一般地涉及。背景技術(shù)使用氮化物半導(dǎo)體的作為半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光二極管(LED)已被用于顯示裝置、照明及類似領(lǐng)域。使用氮化物半導(dǎo)體的電子器件已被用于高頻器件和高功率器件。當(dāng)在具有極佳規(guī)模化生產(chǎn)率的硅(Si)襯底上形成這樣的氮化物半導(dǎo)體器件時(shí),因?yàn)榫Ц癯?shù)或熱膨脹系數(shù)的不同,極易產(chǎn)生缺陷和開(kāi)裂。需要一種在硅襯底上生產(chǎn)高質(zhì)量晶體的技術(shù)。特別是試圖在硅襯底上形成厚n-型GaN層時(shí),傾向于產(chǎn)生裂紋。發(fā)明內(nèi)容一般地,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,一種氮化物半導(dǎo)體器件...
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