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技術(shù)編號(hào)：7043629

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本發(fā)明揭露了一種LED芯片及其制造方法，所述LED芯片在所述P型GaN層中形成了金屬納米陣列，所述金屬納米陣列包括金屬芯和電介質(zhì)外殼，所述金屬納米陣列能和有源層的光發(fā)生離子共振，從而提高LED的內(nèi)量子效率，此外，有源層發(fā)出的光可以在金屬納米陣列上發(fā)生散射，提高光析出率，最終而提高LED的發(fā)光效率。專(zhuān)利說(shuō)明一種LED芯片及其制作方法[0001]本發(fā)明涉及LED制造，尤其涉及一種LED芯片及其制作方法。背景技術(shù)[0002]發(fā)光二極管(LED, Light Em...
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