技術(shù)編號：7043498
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種集成門極換流晶閘管IGCT的深門極結(jié)構(gòu)，該深門極結(jié)構(gòu)包括硅單晶，在硅單晶上設(shè)置第一槽；在第一槽有槽面用硼鋁高溫擴(kuò)散工藝形成P型區(qū)；在第一槽有槽平面用磷擴(kuò)散工藝形成N+型區(qū)；在第一槽的底部設(shè)置第二槽；第二槽底部設(shè)置P+型區(qū)；在N+型區(qū)上設(shè)置陰極電極；在P+型區(qū)上設(shè)置門極電極；最后在P型區(qū)和N+型區(qū)交接處設(shè)置N+型區(qū)和P型區(qū)交接處保護(hù)層。本發(fā)明這種集成門極換流晶閘管IGCT采用深門極結(jié)構(gòu)可大大增加陽極關(guān)斷電流，同時門極電極和陰極電極的平面距離達(dá)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。