技術(shù)編號(hào):7041718
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的,屬于太陽電池。電池結(jié)構(gòu)順序?yàn)榻饘俦畴姌O(1)、半金屬層(2)、p型CdTe層(3)、n型CdS層(4)、透明導(dǎo)電薄膜(5)、金屬柵格電極(6)和低阻CdSIn層7。用電化學(xué)沉積來制備CdTe太陽能電池,通過選擇沉積電位和后續(xù)的熱蒸發(fā)沉積透明導(dǎo)電層,在鎳箔基底上分別制得歐姆結(jié)特性的半金屬層、梯度富碲的p型CdTe層、n型CdS層和銦摻雜的氧化錫透明導(dǎo)電層,用離子濺射方法在透明導(dǎo)電層表面制備出金屬柵格電極。本發(fā)明原材料易得,工藝簡單,容易操作,耗時(shí)短...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。