技術編號：7040117
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件領域，公開了一種。該SJ-LDMOS的有源區(qū)包括橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)和形成在橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)下方的埋區(qū)，通過設置埋區(qū)與半導體襯底的導電類型不同，從而半導體襯底和埋區(qū)可以同時輔助耗盡橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)的N型柱區(qū)和P型柱區(qū)，補償了襯底輔助效應造成的N型柱區(qū)和P型柱區(qū)之間的電荷不平衡，可以獲得較高的橫向擊穿電壓。同時，半導體襯底和埋區(qū)之間的PN結(jié)向半導體襯底的表面和縱向方向各引入了一個高電場峰，可以通過電場調(diào)制效應得到更均勻的橫向和縱向電場分布，因而可以獲得更...
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