技術編號：7039949
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開一種具可編程可抹除的單一多晶硅非揮發(fā)性存儲器，其包括一基板結(jié)構(gòu)；一第一p型晶體管，包括一選擇柵極連接至一選擇柵極電壓，一第一p型源/漏區(qū)域連接至一源極線電壓以及一第二p型源/漏區(qū)域；一第二p型晶體管，包括該第二p型源/漏區(qū)域，一第三p型源/漏區(qū)域連接至一位線電壓，以及一浮動柵極，其中該第一p型源/漏區(qū)域、該第二p型源/漏區(qū)域、與該第三p型源/漏區(qū)域形成于一N型阱區(qū)內(nèi)；以及一抹除柵區(qū)域，相鄰于該浮動柵極，且該抹除柵區(qū)域包括一P型阱區(qū)以及一n型源/漏...
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