技術(shù)編號：7039707
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供，其中的光學(xué)自旋注入結(jié)構(gòu)包括襯底層和在所述襯底層上依次生長的緩沖層、共振隧穿結(jié)構(gòu)層以及帽層；所述共振隧穿結(jié)構(gòu)層沿生長方向依次為設(shè)置的量子阱層、間隔層、量子點層；或者量子點層、間隔層、量子阱層；其中所述量子點層的晶格常數(shù)大于所述緩沖層、所述間隔層和所述帽層的晶格常數(shù)。采用這種共振隧穿結(jié)構(gòu)通過半導(dǎo)體量子點層與量子阱層的耦合-隧穿效應(yīng)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中勢壘層材料中初始自旋極化率低與能量弛豫引起的自旋損失高的問題。專利說明[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體應(yīng)用...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。