技術(shù)編號(hào)：7039049
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，一種制造外延晶片的方法包括在襯托器中提供晶片，以及在所述晶片上生長(zhǎng)外延層。所述在所述晶片上生長(zhǎng)外延層包括將第一輸入量的原料供給到所述襯托器中的第一步驟，和將第二輸入量的原料供給到所述襯托器中的第二步驟。所述第一輸入量小于所述第二輸入量。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，外延晶片包含晶片和在所述晶片上形成的外延層，其中所述晶片的表面缺陷為1ea/cm2以下。專利說(shuō)明 [0001] 本發(fā)明涉及一種。 背景技術(shù) [0002] 通常，在用于在襯底或晶片...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。