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技術(shù)編號(hào)：7033765

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本發(fā)明涉及一種制造泄漏電流特性及絕緣耐壓特性優(yōu)異的薄膜電容器的方法。進(jìn)一步詳細(xì)而言，涉及一種如下方法，即通過抑制在薄膜電容器的制造工序中發(fā)生的小丘(hillock)，并防止由此引起的泄漏電流密度的上升及絕緣耐壓的下降，從而制造這些各種特性優(yōu)異的薄膜電容器的方法。背景技術(shù)DRAM(Dynamic Random Access Memory) > FeRAM(Ferroelectric Random AccessMemory)、RF電路等電子器件具備發(fā)揮作...
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