技術(shù)編號：7029234
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及太陽電池領(lǐng)域，具體涉及薄膜太陽電池CdS緩沖層及制備方法。背景技術(shù)在全球能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加重的今天，太陽能以無污染， 零排放以及分布最廣泛，取之不盡等優(yōu)點(diǎn)越來越多地受到人們的重 視。太陽電池是解決日趨嚴(yán)重的能源危機(jī)與環(huán)境污染的有效手段之 一，得到人們越來越廣泛的關(guān)注和重視，世界各國均把發(fā)展太陽電池 技術(shù)放在可再生能源的首位。其中，太陽電池材料已成為目前最具活 力和最受矚目的研究領(lǐng)域之一?；诰w硅(單晶硅和多晶硅及其薄膜)的第一代太陽電池由...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。