技術(shù)編號(hào):7018225
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。提出一種發(fā)光二極管芯片。發(fā)明內(nèi)容要實(shí)現(xiàn)的目的在于,提出一種發(fā)光二極管芯片,其能夠特別低成本地制造。根據(jù)發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施形式,發(fā)光二極管芯片包括具有產(chǎn)生輻射的區(qū)域的半導(dǎo)體本體。例如,半導(dǎo)體本體包括η型傳導(dǎo)區(qū)域、P型傳導(dǎo)區(qū)域和至少一個(gè)產(chǎn)生輻射的有源區(qū)域,所述有源區(qū)域設(shè)置在η型傳導(dǎo)區(qū)域和P型傳導(dǎo)區(qū)域之間。在此,半導(dǎo)體本體例如基于III/V族化合物半導(dǎo)體材料。III/V族化合物半導(dǎo)體材料具有至少一種第三主族中的元素和第五主族中的元素,其中所述第三主族元...
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