技術(shù)編號：7014992
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了。即采用氧化鈦納米管陣列膜作為陰極，替代傳統(tǒng)鋁電解電容器的腐蝕鋁箔陰極，并采用傳統(tǒng)鋁電解電容器類似的生產(chǎn)工藝、工作電解液和老化工藝，制備電容器。由于氧化鈦陰極強(qiáng)度大、厚度薄、比容高，在電容器體積相同的情況下，可以增加陽極鋁箔的面積，從而提高電容器的比容。這種方法可以提高低壓鋁電解電容器比容達(dá)50%以上；而且氧化鈦陰極是在鈦箔基體上通過陽極氧化直接形成的，與鈦基體的結(jié)合力強(qiáng)，不會有氧化鈦膜從基體上脫落的問題。專利說明—種高比容低壓鋁電解電容器及其...
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