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技術(shù)編號(hào)：7012290

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本發(fā)明涉及微電子技術(shù)。本發(fā)明解決了現(xiàn)有AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管中，電子容易溢出溝道進(jìn)入緩沖層，從而降低溝道夾斷性能的問題，提供了，其技術(shù)方案可概括為一種氮化鎵高電子遷移率晶體管，包括襯底、氮化鎵成核層、氮化鎵緩沖層、氮化鎵溝道層及AlGaN勢(shì)壘層，其特征在于，還包括AlGaN背勢(shì)壘層，所述AlGaN背勢(shì)壘層設(shè)置在氮化鎵緩沖層與氮化鎵溝道層之間，所述AlGaN背勢(shì)壘層中，Al原子組分含量沿氮化鎵成核層向氮化鎵溝道層方向由零逐漸增加至一固定數(shù)值。本...
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