技術(shù)編號:7009352
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般來說涉及半導(dǎo)體存儲器,且特定來說,在一個或一個以上實施例中,本發(fā)明涉及利用含有釕及硅的二極管的交叉點存儲器。背景技術(shù)通常提供存儲器裝置作為計算機或其它電子裝置中的內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路。存在許多不同類型的存儲器,包括(舉例來說)隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)及快閃存儲器。一般來說,交叉點存儲器由出現(xiàn)于兩個導(dǎo)電線(例如,存取線(通常稱為字線)與 數(shù)據(jù)線(通常稱為位線)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。