技術編號：7008769
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。通過在半傳導溝道(鰭)與襯底之間插入絕緣層來防止FinFET器件中的溝道到襯底泄漏。類似地，通過在源極／漏極區(qū)域與襯底之間插入絕緣層隔離源極／漏極區(qū)域與襯底來防止FinFET器件中的源極／漏極到襯底泄漏。絕緣層物理和電隔離傳導路徑與襯底，因此防止電流泄漏。如果半傳導鰭陣列由多層堆疊組成，則可以去除底部材料，因此產(chǎn)生在硅表面上方懸置的鰭陣列。然后可以向在剩余頂部鰭材料下面的所得間隙填充氧化物以更好地支撐鰭并且隔離鰭陣列與襯底。所得FinFET器件在柵極區(qū)域和...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。