技術(shù)編號(hào)：7005163
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于化合物半導(dǎo)體太陽能電池領(lǐng)域，具體涉及，便于實(shí)現(xiàn)襯底的多次重復(fù)利用。背景技術(shù)近些年來，隨著聚光光伏技術(shù)的發(fā)展，GaAs及相關(guān)化合物III - V族太陽電池因其高光電轉(zhuǎn)換效率而越來越受到關(guān)注。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，InGaP/GaAs/Ge三結(jié)太陽能電池是目前最成熟也是最高效的III-V族化合物半導(dǎo)體多結(jié)太陽能電池，該類型太陽能電池的各個(gè)子電池的晶格常數(shù)基本匹配，且?guī)秾挾葟纳隙路謩e是=InGaP為 1. 86eV, GaAs為 1. 42eV,...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。