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一種半導(dǎo)體器件的制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7003446

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造エ藝,具體而言涉及一種用于嵌入式鍺硅應(yīng)變MOS器件的Σ狀凹槽的制作方法。背景技術(shù)為了提高PMOS器件溝道中載流子的遷移率,在PMOS器件將要形成源/漏區(qū)的部分制作凹槽以形成嵌入式鍺硅的技術(shù)已經(jīng)成為廣為關(guān)注的熱點(diǎn)。對(duì)于45nm及以上節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體制造エ藝,由于器件尺寸的按比例縮小,器件溝道的長(zhǎng)度也相應(yīng)縮短,因此,有相關(guān)研究指出在PMOS器件將要形成源/漏區(qū)的部分制作側(cè)壁向器件溝道方向內(nèi)凹的凹槽可以有效縮短器件溝道的長(zhǎng)度,滿足器件尺寸按比例縮...
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