技術(shù)編號(hào)：7002485
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及優(yōu)選用于制備在Si襯底上形成的電子器件用緩沖層的外延膜、使用該外延膜的壓電元件和鐵電元件、它們的制造方法以及液體排出頭。背景技術(shù)作為半導(dǎo)體單晶襯底的硅襯底具有優(yōu)異的結(jié)晶性，并且能擴(kuò)大襯底的面積，以致該襯底適合作為制備電子器件的襯底，并用于通常的目的。在Si襯底上疊層并制備的電子器件的例子包括介電器件、壓電器件、鐵電器件和熱電器件。為了改善器件的晶體結(jié)構(gòu)已對(duì)在Si襯底上形成的作為底層的緩沖層進(jìn)行了研究。在緩沖層中，作為在與襯底的Si晶體晶格匹配且與...
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