技術(shù)編號:7002083
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域,尤其涉及一種電流擴(kuò)散電極、制備方法及其半導(dǎo)體發(fā)光器件。背景技術(shù)作為寬禁帶材料,氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(GaAIN)、氮化鎵銦(InGaN)及氮化鎵鋁銦(InAlGaN)等III族氮化物材料具有高熱導(dǎo)率、高介電常數(shù)、高電子飽和遷移速率和高化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)良特性,這些特性使得此系列材料在短波長發(fā)光器件、紫外探測器、大功率微波器件和耐高溫度電子器件等方面擁有巨大的應(yīng)用前景。由于p型GaN的高摻雜一直無法有效地突破,同時自然界中又找不到一種...
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