技術(shù)編號(hào)：7001871
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于CMOS超大規(guī)模集成電路(ULSI)制造，具體涉及一種空氣側(cè)墻的圍柵硅納米線晶體管的制備方法。背景技術(shù)隨著器件尺寸縮小到深亞微米，傳統(tǒng)平面晶體管的柵控能力減弱，短溝道效應(yīng)越來越明顯，導(dǎo)致一系列問題，如閾值電壓漂移、亞閾值斜率增加、亞閾區(qū)泄漏電流增加、漏致勢壘降低效應(yīng)等等。為了抑制日益惡化的短溝道效應(yīng)，可以采用多柵結(jié)構(gòu)，增加?xùn)艑?duì)溝道的控制能力。多柵結(jié)構(gòu)的極致為圍柵硅納米線結(jié)構(gòu)，由于圍柵結(jié)構(gòu)優(yōu)秀的柵控能力和一維準(zhǔn)彈道輸運(yùn)潛力，圍柵硅納米線晶體管能夠獲...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。