技術(shù)編號(hào)：6999883
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施方式涉及氮化物半導(dǎo)體元件。 背景技術(shù)在開(kāi)關(guān)電源和逆變器(inverter)等中使用的電力控制用元件(功率半導(dǎo)體元件) 中，要求高耐壓、低電阻的特性。半導(dǎo)體元件的耐壓特性和輸出特性存在由元件材料的物理性質(zhì)決定的折衷選擇(trade-off)關(guān)系。以往，使用硅作為功率半導(dǎo)體元件的材料。通過(guò)長(zhǎng)年的技術(shù)開(kāi)發(fā)，功率半導(dǎo)體元件的高耐壓、低電阻特性正達(dá)到被硅材料特性限制的極限。 因此，為了超越這個(gè)極限，進(jìn)行了采用碳化硅(SiC)和氮化物半導(dǎo)體等代替硅的新材料...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。