技術(shù)編號:6999821
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器材料,屬于半導(dǎo)體激光器新型材料的外延結(jié)構(gòu)領(lǐng)域。背景技術(shù)銻化物激光器有向長波長、大功率、高效率發(fā)展的趨勢。3 μ m以上中波紅外波段的 InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器中,自由載流子吸收已經(jīng)成為很嚴(yán)重的問題,導(dǎo)致內(nèi)損耗增加,引起器件的閾值電流、量子效率、電光轉(zhuǎn)換效率等性能隨波長的增加而變差。例如, Sarnoff研究中心研制的2. 8 μ m的激光器量子效率(30% )僅為2. 5 μ m的激光器量子效率(60% )的一半...
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