技術(shù)編號(hào)：6998760
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，且特別是涉及一種具有錯(cuò)誤自動(dòng)檢查與更正 (error checking and correcting, ECC)位的三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)近年來半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)不斷地改變，且元件的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存容量也不斷增加。特別是相關(guān)業(yè)者，不斷研發(fā)新的設(shè)計(jì)或是結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行存儲(chǔ)單元平面的堆疊，以達(dá)到具有更高儲(chǔ)存容量的結(jié)構(gòu)。例如已有一些多層薄膜晶體管堆疊的與非柵(NAND)型快速存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)被提出。具高儲(chǔ)存容量的半導(dǎo)體元件其尺寸也因而跟著堆疊的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。