技術(shù)編號：6998755
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，涉及一種多層堆疊的電阻轉(zhuǎn)換存儲器的結(jié)構(gòu)，用于半導(dǎo)體器件的制造。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件的密度和性能隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展而日新月異，半導(dǎo)體器件多層堆疊已經(jīng)是國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖中重要的一部分，是公認的集成電路發(fā)展的必然趨勢。半導(dǎo)體器件多層堆疊的意義不僅僅在于集成度的大幅提升，還在于器件速度和功耗等方面性能的可觀改進，與此同時，器件的單位密度的成本也將會顯著降低，從而使半導(dǎo)體器件更具競爭力。在存儲器方面，對于高性能存儲器的需求，使得相變存儲器、電阻...
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