技術編號：6997947
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造，更具體地說，涉及一種高壓功率LDMOS器件及其制造方法。背景技術LDMOS(橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管,Lateral Double-diffuseMOS)器件的制造主要是利用雙擴散技術，在相同的有源區(qū)相繼進行兩次硼磷擴散，由兩次硼磷擴散的橫向結深之差來精確控制溝道的長度。LDMOS器件中，在源區(qū)和漏區(qū)之間有高阻層，稱為漂移區(qū)(drift)。漂移區(qū)的存在提高了器件的擊穿電壓，并減小了源、漏兩極之間的寄生電容，有利于改善頻率特性...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。