技術(shù)編號：6997819
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是有關(guān)于ー種半導(dǎo)體裝置，且特別是有關(guān)于ー種使用在高電壓裝置的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)裝置傳統(tǒng)上應(yīng)用于高電壓應(yīng)用。圖I繪示傳統(tǒng)橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體的例子。圖I中的傳統(tǒng)橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體包括高電壓N型阱區(qū)域102于P型襯底100上。P型阱110與N型阱120形成于高電壓N型阱區(qū)域102中。柵極通過柵極氧化層175與多晶硅柵極層170形成。柵極層170的一部分，被稱為場板，也延伸于中央場氧化(FOX)區(qū)域1...
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