技術(shù)編號:6997804
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,尤其涉及一種溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。背景技術(shù)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種利用電場效應(yīng)來控制電流大小的半導(dǎo)體器件。場效應(yīng)晶體管體積小、重量輕、耗電省、壽命長,并具有輸入阻抗高、噪聲低、 熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)和制造工藝簡單等優(yōu)點(diǎn),因而應(yīng)用范圍廣。請參閱圖1,圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)的溝槽式(trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。所述溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體...
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