技術(shù)編號：6991965
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體處理領(lǐng)域，并且更具體地，涉及。背景技術(shù)提高半導(dǎo)體器件、特別是晶體管的性能，始終是半導(dǎo)體工業(yè)中的主要考慮。例如，在金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的設(shè)計(jì)和制造期間，共同的目標(biāo)總是增加溝道區(qū)域的電子遷移率并減小寄生電阻以改善器件性能。例如，改善器件性能的其它方法包括通過對源極/漏極區(qū)域與溝道區(qū)域之間的區(qū)域進(jìn)行摻雜來減小MOSFET的整體電阻，該區(qū)域被稱為MOSFET的“尖端(tip)”或源極/漏極擴(kuò)展區(qū)域。例如，將摻雜劑注入到源極/...
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