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控制絕緣體上半導(dǎo)體型結(jié)構(gòu)中應(yīng)力分布的方法及對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6990967

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控制絕緣體上半導(dǎo)體型結(jié)構(gòu)中應(yīng)力分布的方法及對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)本發(fā)明涉及一種在絕緣體上半導(dǎo)體型結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程中控制絕緣體上半導(dǎo)體型結(jié)構(gòu)中應(yīng)力分布的方法。本發(fā)明還涉及可以在微電子、光電子、集成光子等領(lǐng)域中使用的結(jié)構(gòu)。利用通過(guò)分子粘附的接合,能夠通過(guò)將絕緣層掩埋在機(jī)械支撐基板和有源半導(dǎo)體層之間來(lái)制造SOI (絕緣體上硅)型基板。一般來(lái)說(shuō),SOI基板包括單晶硅的機(jī)械支撐基板和有源層,而絕緣體常常是硅氧化物。諸如已知為“智能剝離”或縮寫為“BES0I” ( “鍵合與背腐蝕絕緣...
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