技術編號：6989967
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及氮化鎵系化合物半導體發(fā)光元件。 背景技術對于作為V族元素而具有氮(N)的氮化物半導體而言，由于其帶隙的大小，有望被作為短波長發(fā)光元件的材料。其中，氮化鎵系化合物半導體(GaN系半導體)的研究較為盛行，藍色發(fā)光二極管(LED)、綠色LED、以及以GaN系半導體為材料的半導體激光器已被實用化。氮化鎵類半導體具有纖鋅礦型結晶結構。圖1示意性表示GaN的單位晶格。在 AlaGabIncN(0彡a、b、c彡1，a+b+c = 1)半導體的結晶中，圖1所示的...
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