技術(shù)編號(hào)：6987430
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于在半導(dǎo)體裝置中的銅(Cu)及/或Cu合金金屬化，特別是有關(guān)于形成可靠Cu或Cu合金互連器的方法，例如在低介電常數(shù)材料中的單或雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。本發(fā)明特別可應(yīng)用于制造具有亞微米設(shè)計(jì)部件(features)與有改善的電子遷移(electromigration)電阻的高導(dǎo)電率互連器的高速集成電路。 背景技術(shù) 對(duì)于高密度與操作性的逐漸上升的需求，造成對(duì)半導(dǎo)體制造技術(shù)的嚴(yán)格要求，特別是提供具電子遷移電阻的低R×C(電阻×電容)互連圖形的互連技術(shù)，其中亞微米級(jí)...
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