技術(shù)編號：6986791
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般地涉及沉積阻擋層和阻擋層之上的籽層的裝置和方法。更具體地，本發(fā)明涉及沉積阻擋層和在阻擋層之上沉積包含銅和其它金屬的籽層的裝置和方法。背景技術(shù) 對于下一代半導(dǎo)體器件大規(guī)模集成(VLSI)和超大規(guī)模集成(ULSI)，可靠地制造亞微米或更小特征是關(guān)鍵之一。然而，由于電路技術(shù)的條紋受限制，VLSI和ULSI技術(shù)中互連的縮小的尺寸對加工能力設(shè)置了額外的要求。這種技術(shù)核心的多層面互連需要對高長寬比特征的精確加工，例如通路和其它互連。這些互連的可靠形成對VLS...
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