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為了改進的焊劑清洗在外殼容器和小硅片之間有較大間隙的高壓半導(dǎo)體裝置殼體的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:6979426

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置,更具體地涉及允許增加該裝置的額定電壓的倒裝晶片類的一半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)裝置小型化已導(dǎo)致開發(fā)晶片級或接近晶片級半導(dǎo)體裝置。這樣一種裝置包括一容器型連接件,該連接件在它的內(nèi)部接受一半導(dǎo)體小硅片和通過例如焊接或?qū)щ姷沫h(huán)氧樹脂的一層導(dǎo)電材料連接到小硅片的一電極。容器型連接件包括圍繞小硅片的一壁部。該壁與小硅片和它的電極的周邊封閉地分開。當使用熔解的焊接劑將這一裝置焊接到一板上時,剩余的焊劑沉積在焊接處周圍。當為這目的使用不是那些標注為“不清...
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