技術(shù)編號(hào):6976080
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及磁阻元件(以下簡(jiǎn)寫為“MR元件”)和利用該元件的磁器件。本發(fā)明的MR元件特別適用于從介質(zhì)比如磁盤、磁-光盤和磁帶讀取信息的記錄/重放磁頭、用于汽車等的磁性傳感器以及磁阻存儲(chǔ)設(shè)備(即磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,下文簡(jiǎn)寫為“MRAM”)。背景技術(shù)至少兩個(gè)磁層和至少一個(gè)非磁層交替疊置的多層膜可提供大的磁阻效應(yīng),這被稱為巨磁阻(GMR)效應(yīng)。在多層膜中,非磁層位于磁層之間(即磁層/非磁層/磁層/非磁層......)。磁阻效應(yīng)是電阻隨著磁層之間磁化方向的相對(duì)差異而變...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。