技術編號：6966138
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及適合利用激光剝離技術制作GaN基LED芯片的外延結構，屬于發(fā) 光二極管(LED)。背景技術隨著大功率GaN系列藍綠光LED的發(fā)展，逐步實現(xiàn)了半導體照明技術。發(fā)光二極 管在裝飾照明、景觀照明、背光源等應用領域的擴展促使人們尋找各種制作大功率LED器 件的方法。目前制作GaN系列LED研究最早的還是藍寶石襯底，技術和工藝相對比較成熟， 大功率GaN基LED外延結構一般自下至上依次包括藍寶石襯底、UGaN層(非摻雜高溫GaN 層)、N型GaN層、N...
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