技術(shù)編號:6958652
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明主要涉及功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備的領(lǐng)域。更確切地說,本發(fā)明涉及 功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制備方法。背景技術(shù)功率MOSFET (金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管)器件可用于多種工業(yè)應(yīng)用,例如 功率放大器、功率轉(zhuǎn)換器、低噪聲放大器以及數(shù)字集成電路(IC)等等。MOSFET器件的從業(yè) 者們,在設(shè)計和制備各種電子產(chǎn)品時的一項基本原則就是持續(xù)提升其性能參數(shù),例如擊穿 電壓Vbk、導(dǎo)通電阻RDSon、器件尺寸以及頻率響應(yīng)等等。圖IA至圖ID摘錄自原有技術(shù)教程中,教程由...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。