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制備電荷平衡的多-納米殼漂移區(qū)的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:6958652

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本發(fā)明主要涉及功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備的領(lǐng)域。更確切地說,本發(fā)明涉及 功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制備方法。背景技術(shù)功率MOSFET (金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管)器件可用于多種工業(yè)應(yīng)用,例如 功率放大器、功率轉(zhuǎn)換器、低噪聲放大器以及數(shù)字集成電路(IC)等等。MOSFET器件的從業(yè) 者們,在設(shè)計和制備各種電子產(chǎn)品時的一項基本原則就是持續(xù)提升其性能參數(shù),例如擊穿 電壓Vbk、導(dǎo)通電阻RDSon、器件尺寸以及頻率響應(yīng)等等。圖IA至圖ID摘錄自原有技術(shù)教程中,教程由...
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