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技術(shù)編號(hào)：6956351

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本發(fā)明涉及，屬于半導(dǎo)體發(fā)光器件技術(shù) 領(lǐng)域。背景技術(shù)以GaN為代表的寬禁帶III-V族氮化物半導(dǎo)體材料在短波長(zhǎng)發(fā)光器件、短波長(zhǎng)激 光器、光探測(cè)器以及高溫、高頻和大功率電子器件方面有著廣闊的應(yīng)用前景而備受關(guān)注，發(fā) 展十分迅速。典型的GaN基發(fā)光器件是由襯底、GaN緩沖層、η型GaN層、GaN基發(fā)光層、ρ 型GaN層構(gòu)成。其中GaN緩沖層、η型GaN層、GaN基發(fā)光層、ρ型GaN層又統(tǒng)稱為GaN基器 件薄膜材料。由于缺乏GaN體單晶襯底，目前商品化的GaN基發(fā)光...
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