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技術(shù)編號：6954991

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本發(fā)明涉及的是半導(dǎo)體器件，本發(fā)明特別涉及包括多個存儲器單元的存 儲器器件。本發(fā)明更特別的涉及由具有浮體的場效應(yīng)晶體管FET形成的存儲器單元以及包 括多個這種存儲器單元的存儲器陣列。背景技術(shù)圖1顯示傳統(tǒng)的浮體DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)存儲器單元的剖視圖。傳統(tǒng)的浮體DRAM單元形成在包括硅薄膜3的絕緣體上硅(SOI)襯底中，硅薄膜3 通過埋入氧化物層(BOX) 2與基襯底1分開。浮體4、源極區(qū)5和漏極區(qū)6形成在BOX 2上 的薄膜3中。柵極介電層7和柵極電...
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