技術(shù)編號：6954511
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種。 背景技術(shù)離子注入摻雜是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵工藝之一。離子注入在離子注入機上進行。批處理式離子注入機由于其高產(chǎn)出而常應(yīng)用于半導(dǎo)體的重摻雜工藝，其每批次最多能在圓盤上處理13(AXCELIS GSD系列)或17(AMAT Quantum系列)枚晶片，當(dāng)產(chǎn)品片不足時， 設(shè)備會自動充填陪片，以湊足13或17枚晶片。陪片通常使用干凈的裸硅片，其使用次數(shù)受以下因素的限制1、顆粒性能。由于陪片要和產(chǎn)品片混合作業(yè)，為了避免陪片被顆粒沾污，要求陪片具有較...
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