技術(shù)編號：6954507
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種控制離子均勻注入的二維掃描方法，涉及離子注入機，屬于半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域。背景技術(shù)離子注入機是半導(dǎo)體器件制造中最關(guān)鍵的摻雜設(shè)備之一，是一種通過引導(dǎo)雜質(zhì)注入半導(dǎo)體晶片，從而改變晶片傳導(dǎo)率的設(shè)備，其中雜質(zhì)注入的深度和密度的均勻性都直接決定了注入晶片的品質(zhì)。隨著半導(dǎo)體器件制造的發(fā)展，用于器件制造的晶圓片朝著300mm 以上尺寸擴展，而單元器件尺寸則向微納米細線條減縮，特別是片上晶體管、場效應(yīng)管尺寸的減縮，對離子束注入摻雜技術(shù)提出了的挑戰(zhàn)。為了保證片上...
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