技術(shù)編號：6953615
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，具體來說，涉及一種。背景技術(shù)實踐中，業(yè)內(nèi)通常采用鑲嵌工藝形成金屬互連結(jié)構(gòu)，所述金屬互連結(jié)構(gòu)包括在接觸塞上生成互連金屬線，互連金屬線上生成通孔，再在通孔上生成更上一層的互連金屬線。 重復多次以實現(xiàn)多金屬層互連。其中，第一層互連金屬線采用單鑲嵌工藝實現(xiàn)，其步驟包括首先，如圖1所示，在第一介質(zhì)層20和第一金屬層10上形成第一阻擋層30和第二介質(zhì)層40 (實踐中，所述第一介質(zhì)層20和所述第一金屬層10之間也需夾有阻擋層12，為表述簡便，本文件中，...
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