技術編號：6949132
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明的示例性實施方式涉及一種半導體器件，更具體而言，涉及一種包含垂直 單元的半導體器件及其制造方法。背景技術由于某些效應，例如MOS晶體管的短溝道效應，對于普通的平面單元來說可能難 以獲得充分的有源區(qū)。因此，在可以將單元形成得多小的方面可能存在限制。作為另一種選擇，近來提出了一種包括垂直柵的垂直單元。圖IA是圖示一種現(xiàn)有的半導體器件的立體圖，圖IB是這種現(xiàn)有的半導體器件的 平面圖，其中示出了垂直柵、掩埋位線和字線。參照圖IA和圖1B，可以在襯底11之上形...
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