技術(shù)編號(hào):6948498
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于自旋磁學(xué)領(lǐng)域,尤其涉及一種自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管,以及基于該自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管的存儲(chǔ)單元及其磁性存儲(chǔ)器。背景技術(shù)眾所周知,在納米磁性多層膜和磁性隧道結(jié)(MTJ)中觀測(cè)到的巨磁電阻效應(yīng) (Giant Magneto-resistance, GMR)禾口隧穿磁電阻效應(yīng)(TunnelingMagneto-resistance, TMR)已被廣泛地應(yīng)用于計(jì)算機(jī)磁讀頭和磁敏傳感器等領(lǐng)域,而其中MTJ的另外一個(gè)極其重要的應(yīng)用就是可以作為磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magnet...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。