技術(shù)編號(hào)：6946460
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域，尤其涉及半導(dǎo)體納米陣列結(jié)構(gòu)器件(如太陽能電池、LED、光電探測器、激光器等)的制作工藝。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，工藝加工水平的不斷提高，納米尺度的器件受到普 遍的重視，包括以納米陣列結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的太陽能電池、LED、光電探測器、激光器等。與薄膜器件相比，納米陣列結(jié)構(gòu)的器件有許多優(yōu)點(diǎn)。采用納米陣列結(jié)構(gòu)，能增大器 件的表面積，釋放應(yīng)力，減少晶格失配、終止位錯(cuò)。此外，對(duì)于LED，采用納米陣列結(jié)構(gòu)，能有 效提高出光效率，從而提高光...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。