技術編號：6943522
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種功率半導體器件，其中漂移區(qū)由帶隙比硅(Si)的帶隙寬的半導 體材料(下文中稱為WBG半導體)構成。背景技術已經(jīng)報道(參見例如日本專利申請公開No. 11-354786)通過使用諸如碳化硅(下 文稱為SiC)或氮化鎵(下文稱為GaN)之類的帶隙比硅的帶隙寬的半導體作為用于功率開 關的場效應晶體管(下文稱為功率M0SFET)的半導體材料，能實現(xiàn)比硅的導通電阻低得多 的導通電阻。所謂的IGBT通常用作功率開關的半導體器件，而且逆變器是其應用之一。圖...
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