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一種結(jié)晶溫度可調(diào)的Ga<sub>30</sub>Sb<sub>70</sub>/Sb<sub>80</sub>Te<sub>20</sub>納米復(fù)合多層相變薄膜材料的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6941292

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本發(fā)明屬于微電子,具體涉及一種結(jié)晶溫度可調(diào)的Ga3(lSb7(l/Sb8(lTe2(l納米 復(fù)合多層相變薄膜材料。背景技術(shù)相變存儲(chǔ)器是一種新型的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,具有高速、高密度、低功耗、工 藝簡(jiǎn)單、與C0MS工藝兼容等優(yōu)點(diǎn),因此被業(yè)界視為未來(lái)最有可能替代閃存的關(guān)鍵技術(shù)。相 變存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)是以硫系化合物為基礎(chǔ)的相變薄膜材料,其基本原理是利用能夠可逆 轉(zhuǎn)變的非晶態(tài)和多晶態(tài)的高、低電阻差異來(lái)實(shí)現(xiàn)信息的存儲(chǔ)。目前相變存儲(chǔ)器的主流存儲(chǔ)介質(zhì)是Ge2Sb2Te...
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